Datasheet Texas Instruments LM5113QDPRRQ1 — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | LM5113-Q1 |
| Numero de parte | LM5113QDPRRQ1 |
Automotriz, 100 V 1.2-A / 5-A, Controlador de puerta de medio puente para FET de GaN en modo de mejora 10-WSON -40 a 125
Hojas de datos
LM5113-Q1 100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs datasheet
PDF, 2.3 Mb, Archivo publicado: marzo 19, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
| Pin | 10 |
| Package Type | DPR |
| Industry STD Term | WSON |
| JEDEC Code | S-PDSO-N |
| Package QTY | 4500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Device Marking | L5113Q |
| Width (mm) | 4 |
| Length (mm) | 4 |
| Thickness (mm) | .75 |
| Pitch (mm) | .8 |
| Max Height (mm) | .8 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Bus Voltage | 90 V |
| Driver Configuration | Dual Independent |
| Fall Time | 3.5 ns |
| Input Threshold | TTL |
| Input VCC(Max) | 5.5 V |
| Input VCC(Min) | 4.5 V |
| Number of Channels | 2 |
| Operating Temperature Range | -40 to 125 C |
| Package Group | WSON |
| Package Size: mm2:W x L | See datasheet (WSON) PKG |
| Peak Output Current | 5 A |
| Power Switch | MOSFET,GaNFET |
| Prop Delay | 30 ns |
| Rating | Automotive |
| Rise Time | 7 ns |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: LM5113LLPEVB
LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Linea modelo
Serie: LM5113-Q1 (1)
- LM5113QDPRRQ1
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN)В Solutions > GaN FET Drivers