Datasheet International Rectifier IRF1010N — Ficha de datos

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Descripción detallada

Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.

Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

Clasificación del fabricante

• Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single