Datasheet Toshiba TK3R1P04PL — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieTK3R1P04PL
Numero de parteTK3R1P04PL

MOSFET de potencia (N-ch individual 30V <VDSS≤60V)

Hojas de datos

TK3R1P04PL Data sheet/English
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Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

Manufacture Package CodeDPAK

Paramétricos

Application ScopeHigh efficiency DC/DC converters / Motor drivers / Switching regulators
Assembly basesChina
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V]0.0031 О©
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V]0.0043 О©
GenerationU-MOSⅨ-H
Input capacitance (Typ.)4670 pF
PolarityN-ch
Total gate charge (Typ.)60 nC

Plan ecológico

RoHSObediente

Clasificación del fabricante

  • MOSFET