Datasheet Texas Instruments LMG1210 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieLMG1210
Datasheet Texas Instruments LMG1210

Controlador de medio puente GaN de 200V, 1.5A / 3A con tiempo muerto ajustable

Hojas de datos

LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet
PDF, 596 Kb, Archivo publicado: feb 14, 2018
Extracto del documento

Precios

Estado

LMG1210RVRRLMG1210RVRTXLMG1210RVRT
Estado del ciclo de vidaVista previa (El dispositivo ha sido anunciado pero no está en producción. Las muestras pueden o no estar disponibles)Vista previa (El dispositivo ha sido anunciado pero no está en producción. Las muestras pueden o no estar disponibles)Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNoNo

Embalaje

LMG1210RVRRLMG1210RVRTXLMG1210RVRT
N123
Pin191919
Package TypeRVRRVRRVR
Package QTY3000250250
CarrierLARGE T&RSMALL T&RSMALL T&R
Width (mm)444
Length (mm)333
Thickness (mm)0.750.750.75
Mechanical DataDescargarDescargarDescargar

Paramétricos

Parameters / ModelsLMG1210RVRR
LMG1210RVRR
LMG1210RVRT
LMG1210RVRT
XLMG1210RVRT
XLMG1210RVRT
Bus Voltage, V200200200
Driver ConfigurationHalf BridgeHalf BridgeHalf Bridge
Fall Time, ns0.50.50.5
Input ThresholdTTLTTLTTL
Input VCC(Max), V181818
Input VCC(Min), V666
Number of Channels222
Operating Temperature Range, C-40 to 125-40 to 125-40 to 125
Package GroupWQFNWQFNWQFN
Package Size: mm2:W x L, PKG19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN)19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN)19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN)
Peak Output Current, A333
Power SwitchMOSFET,GaNFETMOSFET,GaNFETMOSFET,GaNFET
Prop Delay, ns101010
RatingCatalogCatalogCatalog
Rise Time, ns0.50.50.5

Plan ecológico

LMG1210RVRRLMG1210RVRTXLMG1210RVRT
RoHSSee ti.comSee ti.comSee ti.com

Notas de aplicación

  • Optimizing Efficiency Through Dead Time Control With the LMG1210 GaN Driver
    PDF, 139 Kb, Archivo publicado: feb 14, 2018
    Dead time is an extremely important design parameter in some high-frequency converters using GaN.Dead time becomes ever more important as the frequency of operation increases. This reportdemonstrates the need for dead time optimization by measuring efficiency of a converter with varyingdead times. This report also discusses the various sources of propagation delay mismatch which causedead

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN) Solutions > GaN FET Drivers