Datasheet Toshiba SSM6N357R — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieSSM6N357R
Numero de parteSSM6N357R

Pequeños MOSFET de baja resistencia

Hojas de datos

SSM6N357R Data sheet/English
PDF, 480 Kb, Archivo subido: jun 18, 2018
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

Manufacture Package CodeTSOP6F

Paramétricos

Application ScopeRelay Drivers
Assembly basesThailand
Component Product (Q1)SSM6N357R
Component Product (Q2)SSM6N357R
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max) [VGS=3V]2.4 Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max) [VGS=5V]1.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.) [VGS=3V]1.2 Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.) [VGS=5V]0.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max) [VGS=3V]2.4 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max) [VGS=5V]1.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.) [VGS=3V]1.2 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.) [VGS=5V]0.8 Ω
FeaturesRelay Drivers
Gate threshold voltage (Q1) (Max)2.0 V
Gate threshold voltage (Q1) (Min)1.3 V
Gate threshold voltage (Q2) (Max)2.0 V
Gate threshold voltage (Q2) (Min)1.3 V
Generationπ-MOSⅤ
Input capacitance (Q1) (Typ.)43 pF
Input capacitance (Q2) (Typ.)43 pF
Internal ConnectionIndependent
PolarityN-ch×2 + Active Clamp Zener
Total gate charge (Q1) (Typ.)1.5 nC
Total gate charge (Q2) (Typ.)1.5 nC

Plan ecológico

RoHSObediente

Clasificación del fabricante

  • MOSFETs