Datasheet Toshiba SSM6N813R — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieSSM6N813R

MOSFET de señal pequeña 2 en 1

Hojas de datos

SSM6N813R Data sheet/English
PDF, 440 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: sept, 2018
Extracto del documento

Precios

Estado

SSM6N813RSSM6N813R,LFSSM6N813R,LXGF
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

SSM6N813RSSM6N813R,LFSSM6N813R,LXGF
N123
Manufacture Package CodeTSOP6F

Paramétricos

Parameters / ModelsSSM6N813RSSM6N813R,LFSSM6N813R,LXGF
Application ScopePower Management Switches
Assembly basesThailand
Component Product (Q1)SSM6N813R
Component Product (Q2)SSM6N813R
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V], mΩ112
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V], mΩ154
Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max), V2.5
GenerationU-MOSⅧ-H
Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.), pF242
Internal ConnectionIndependent
PolarityN-ch×2
Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V], nC3.6

Plan ecológico

SSM6N813RSSM6N813R,LFSSM6N813R,LXGF
RoHSObediente

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • MOSFETs