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1. SBRFP8A60P5Q-13 — Datasheet Diodes
   Diodos - Rectificadores Simple Diodes SBRFP8A60P5Q SBRFP8A60P5Q-13
   

   Rectificador de superbarrera SBR con contactos en campo de 8 A en encapsulado PowerDI-5 Este diodo rectificador de barrera superresistente (SBR FP) con placa de campo es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo. Esto se ...
2. SBRFP3M60SAFQ-13 — Datasheet Diodes
   Diodos - Rectificadores Simple Diodes SBRFP3M60SAFQ SBRFP3M60SAFQ-13
   

   Rectificador de superbarrera con revestimiento de campo 3A SBR en encapsulado SMAF Este diodo rectificador de barrera superresistente (SBR FP) con placa de campo es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo. Esto se traduce ...

3. SBRFP2M60SAFQ-13 — Datasheet Diodes
   Diodos - Rectificadores Simple Diodes SBRFP2M60SAFQ SBRFP2M60SAFQ-13
   

   Rectificador de superbarrera con revestimiento de campo 2A SBR en encapsulado SMAF Este diodo rectificador de barrera superresistente (SBR FP) con placa de campo es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo. Esto se traduce ...
4. SBRFP2M60P1Q-7 — Datasheet Diodes
   Diodos - Rectificadores Simple Diodes SBRFP2M60P1Q SBRFP2M60P1Q-7
   

   Rectificador de superbarrera SBR con contactos en campo de 2 A en encapsulado PowerDI123 Este diodo rectificador de barrera superior (SBR) es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo, lo que se traduce en temperaturas de ...
5. RA-1.5W-K — Datasheet Fujitsu
   Relés de uso general Fujitsu RA RA-1.5W-K
   

   Relé miniatura de 2 polos - 1 a 2 A para conmutación de señales
6. JX4S0040R065M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX4S0040R065M
   

   MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-4 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
7. JX3S0040065M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040065M
   

   MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
8. JX0320R065MT3 — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX0320R065MT3
   

   MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
9. CLF09H4LS800PU — Datasheet Ampleon
   FET, MOSFET simples Ampleon CLF09H4LS800P CLF09H4LS800PU
   

   Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz. ...
10. TB67S531FTG(O,EL) — Datasheet Toshiba
    Controladores y controladores de motor / movimiento / ignición Toshiba TB67S531FTG TB67S531FTG(O,EL)
    

    Circuito integrado controlador de motor paso a paso bipolar de dos fases y corriente constante BiCD en encapsulado 32-VQFN (5x5).
11. MBR30150CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR30150CT
    

    30 A, 150 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
12. MBR30100CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR30100CT
    

    30 A, 100 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
13. MBR3090CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3090CT
    

    30 A, 90 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
14. MBR3050CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3050CT
    

    30 A, 50 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
15. MBR3045CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3045CT
    

    30 A, 45 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
16. MBR3035CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3035CT
    

    30 A, 35 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
17. MBR3060CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3060CT
    

    30 A, 60 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
18. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
    FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040090M
    

    MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
19. PAM8408DR — Datasheet Diodes
    Amplificadores de audio Diodes PAM8408 PAM8408DR
    

    Entrada diferencial estéreo de 3 W, clase D, con control de volumen ascendente/descendente con memoria, encapsulado SO-16L. Pieza alternativa: PAM8019E El PAM8408 es un amplificador de clase D sin filtro con alta relación señal/ruido y entrada ...
20. HER307G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER307 HER307G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 75 ns, 3 A, 800 V en encapsulado DO-201AD