Datasheet Motorola MTD20P06HDL — Ficha de datos

FabricanteMotorola
SerieMTD20P06HDL
Numero de parteMTD20P06HDL
Datasheet Motorola MTD20P06HDL

P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Hojas de datos

Datasheet MTD20P06HDL
PDF, 318 Kb, Idioma: en, Archivo subido: dic 3, 2019, Páginas: 12
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Nivel lógico TMOS Power FET

  • 15 amperios
  • 60 voltios
  • RDS (encendido) = 175 MΩ

Este avanzado HDTMOS E – FET de alta densidad celular está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación.

El nuevo diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación rápido. Diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor PWM y otras cargas inductivas. La capacidad de energía de avalancha se especifica para eliminar las conjeturas en los diseños donde se cambian las cargas inductivas y para ofrecer un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

    Clasificación del fabricante

    • MOSFETs