Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ — Ficha de datos

FabricanteNexperia
SerieGAN063-650WSA
Numero de parteGAN063-650WSAQ
Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ

650 V, 50 mΩ Nitruro de galio (GaN) FET

Hojas de datos

Datasheet GAN063-650WSA
PDF, 289 Kb, Idioma: en, Revisión: 27112019, Archivo subido: dic 5, 2019, Páginas: 12
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
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Precios

Descripción detallada

El GAN063-650WSA es un FET de nitruro de galio (GaN) de 650 V, 50 mΩ.

Es un dispositivo normalmente apagado que combina las tecnologías de vanguardia GaN HEMT de alto voltaje de Nexperia y las tecnologías MOSFET de silicio de bajo voltaje, que ofrecen confiabilidad y rendimiento superiores. AEC-Q101 calificado.

Linea modelo

Serie: GAN063-650WSA (1)
  • GAN063-650WSAQ

Otros nombres:

GAN063650WSAQ, GAN063 650WSAQ