Datasheet ON Semiconductor NTH4L015N065SC1 — Ficha de datos

FabricanteON Semiconductor
SerieNTH4L015N065SC1
Numero de parteNTH4L015N065SC1

MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L

Hojas de datos

Datasheet NTH4L015N065SC1
PDF, 280 Kb, Idioma: en, Revisión: 0, Archivo subido: feb 24, 2021, Páginas: 8
MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio.

Además, la baja resistencia ON y el tamaño compacto del chip garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la mayor eficiencia, una frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida y un tamaño del sistema reducido.

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

PackageTO-247-4
Package Code340CJ

Plan ecológico

ConformidadAEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free

Clasificación del fabricante

  • Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs