Datasheets

Ver: Lista / Imágenes

1. JX4S0040R065M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX4S0040R065M
   

   MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-4 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
2. JX3S0040065M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040065M
   

   MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...

3. JX0320R065MT3 — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX0320R065MT3
   

   MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
4. CLF09H4LS800PU — Datasheet Ampleon
   FET, MOSFET simples Ampleon CLF09H4LS800P CLF09H4LS800PU
   

   Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz. ...
5. TB67S531FTG(O,EL) — Datasheet Toshiba
   Controladores y controladores de motor / movimiento / ignición Toshiba TB67S531FTG TB67S531FTG(O,EL)
   

   Circuito integrado controlador de motor paso a paso bipolar de dos fases y corriente constante BiCD en encapsulado 32-VQFN (5x5).
6. MBR30150CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR30150CT
   

   30 A, 150 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
7. MBR30100CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR30100CT
   

   30 A, 100 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
8. MBR3090CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3090CT
   

   30 A, 90 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
9. MBR3050CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3050CT
   

   30 A, 50 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
10. MBR3045CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3045CT
    

    30 A, 45 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
11. MBR3035CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3035CT
    

    30 A, 35 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
12. MBR3060CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Arreglos Taiwan Semiconductor MBR3060CT
    

    30 A, 60 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
13. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
    FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040090M
    

    MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
14. PAM8408DR — Datasheet Diodes
    Amplificadores de audio Diodes PAM8408 PAM8408DR
    

    Entrada diferencial estéreo de 3 W, clase D, con control de volumen ascendente/descendente con memoria, encapsulado SO-16L. Pieza alternativa: PAM8019E El PAM8408 es un amplificador de clase D sin filtro con alta relación señal/ruido y entrada ...
15. HER307G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER307 HER307G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 75 ns, 3 A, 800 V en encapsulado DO-201AD
16. HER306G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER306 HER306G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 75 ns, 3 A, 600 V en encapsulado DO-201AD
17. HER305G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER305 HER305G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 400 V en encapsulado DO-201AD
18. HER304G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER304 HER304G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 300 V en encapsulado DO-201AD
19. HER303G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER303 HER303G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 200 V en encapsulado DO-201AD
20. HER302G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    Diodos - Rectificadores Simple Taiwan Semiconductor HER302 HER302G
    

    Rectificador de recuperación de alta eficiencia de 50 ns, 3 A, 100 V en encapsulado DO-201AD