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- Controlador elevador-reductor de 4 interruptores en paralelo de 70 V con detección de corriente DCR mediante inductor. El LTC7878 es un controlador regulador de conmutación elevador-reductor de alto rendimiento que funciona con una tensión de ...
- Controlador PWM El controlador PWM SG3525A ofrece un rendimiento mejorado y un menor número de componentes externos al utilizarse para controlar todo tipo de fuentes de alimentación conmutadas. La referencia de +5,1 V integrada se ajusta a +/-1% y ...
Rectificador de superbarrera SBR con contactos en campo de 8 A en encapsulado PowerDI-5 Este diodo rectificador de barrera superresistente (SBR FP) con placa de campo es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo. Esto se ...
Rectificador de superbarrera con revestimiento de campo 3A SBR en encapsulado SMAF Este diodo rectificador de barrera superresistente (SBR FP) con placa de campo es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo. Esto se traduce ...- Rectificador de superbarrera con revestimiento de campo 2A SBR en encapsulado SMAF Este diodo rectificador de barrera superresistente (SBR FP) con placa de campo es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo. Esto se traduce ...
Rectificador de superbarrera SBR con contactos en campo de 2 A en encapsulado PowerDI123 Este diodo rectificador de barrera superior (SBR) es ideal para aplicaciones que requieren un modo de bloqueo ultrabajo, lo que se traduce en temperaturas de ...
Relé miniatura de 2 polos - 1 a 2 A para conmutación de señales
MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-4 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...- MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz. ...- Controladores y controladores de motor / movimiento / ignición Toshiba TB67S531FTG TB67S531FTG(O,EL)
Circuito integrado controlador de motor paso a paso bipolar de dos fases y corriente constante BiCD en encapsulado 32-VQFN (5x5). 
30 A, 150 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB- 30 A, 100 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
- 30 A, 90 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
- 30 A, 50 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
- 30 A, 45 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
- 30 A, 35 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
- 30 A, 60 V, Schottky planar para automoción en encapsulado TO-220AB
- MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...