Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICD — Ficha de datos

FabricanteSTMicroelectronics
SerieSTGAP2SICD

Conductor de compuerta dual de 4 A con aislamiento galvánico

Hojas de datos

Datasheet STGAP2SiCD
PDF, 705 Kb, Idioma: en, Archivo subido: feb 3, 2022, Páginas: 23
Galvanically isolated 4 A dual gate driver
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Precios

Descripción detallada

Todas las características
  • Carril de alta tensión hasta 1200 V
  • Capacidad de corriente del controlador: disipador/fuente de 4 A a 25 °C
  • Inmunidad transitoria dV/dt ±100 V/ns
  • Retardo total de propagación de entrada-salida: 75 ns
  • Opción de sumidero y fuente separados para una fácil configuración de manejo de la puerta
  • 4 ABRAZADERA Miller
  • Función UVLO
  • Función de enclavamiento configurable

Estado

STGAP2SICDSTGAP2SICDTR
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

STGAP2SICDSTGAP2SICDTR
N12
PackageSSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 PSSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 P

Linea modelo

Serie: STGAP2SICD (2)

Clasificación del fabricante

  • Power Management > Gate Drivers > Multiple Channel Drivers