Datasheet Fortune Semiconductor FS8205A — Ficha de datos
| Fabricante | Fortune Semiconductor |
| Serie | FS8205A |
| Numero de parte | FS8205A |
MOSFET de potencia del modo de mejora de doble canal N
Hojas de datos
Datasheet FS8205A
PDF, 775 Kb, Idioma: en, Archivo subido: jun 3, 2025, Páginas: 6
Dual N-Channel Power MOSFET
Dual N-Channel Power MOSFET
Extracto del documento
Descripción detallada
Los MOSFET de potencia avanzados utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un dispositivo de baja resistencia de encendido, extremadamente eficiente y rentable, ideal para el interruptor de carga y descarga de baterías de iones de litio.
El paquete TSSOP8 se utiliza universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales.
Características:
• Baja resistencia de encendido
• RDS(ON) = 27 mΩ MÁX.
(VGS = 4,5 V, ID = 6 A)
• RDS(ON) = 35 mΩ MÁX. (VGS = 2,5 V, ID = 5 A)
• Tipo de drenaje común
Clasificación del fabricante
- MOSFETs Arrays