Datasheet Ampleon CLF09H4LS800PU — Ficha de datos

FabricanteAmpleon
SerieCLF09H4LS800P
Numero de parteCLF09H4LS800PU
Datasheet Ampleon CLF09H4LS800PU

Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B

Hojas de datos

Brochure "RF power application reports for ISM, broadcast, navigation and safety radio applications"
PDF, 3.5 Mb, Idioma: en, Archivo subido: sept 28, 2026, Páginas: 22
Application Catalog - RF power solutions for MultiMarket / September 2026 / Advancing society through RF
Extracto del documento

Descripción detallada

El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz.

Parámetro Valor
Fabricante Ampleón
Tipo HEMT de GaN de RF, preadaptado internamente
Tecnología GaN sobre SiC
Frecuencia de funcionamiento 902–928 MHz
Potencia de salida 800 W
Tensión de alimentación 50 V
Eficiencia de drenaje Hasta un 81,8 % CW
Ganancia de potencia Hasta 17,4 dB a 928 MHz
Paquete ACC-780 / SOT1214B
Montaje Paquete de RF de alta potencia

Linea modelo

Serie: CLF09H4LS800P (2)