Datasheet STMicroelectronics STB11NM60T4 — Ficha de datos
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Serie | STB11NM60T4 |
| Numero de parte | STB11NM60T4 |
Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete D2PAK
Hojas de datos
Datasheet STB11NM60T4, STP11NM60
PDF, 639 Kb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 15, 2020, Páginas: 21
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh.
Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de la tira de la compañía para producir una de las cargas de compuerta y resistencia más bajas del mundo. Por lo tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
caracteristicas:
- 100% avalancha probado
- Baja resistencia de entrada de la puerta
- Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Estado
| Estado del ciclo de vida | NRND (No recomendado para nuevos diseños) |
Embalaje
| Package | D2PAK |
Otras opciones
Clasificación del fabricante
- Power Transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 350 V to 700 V