Datasheets - FET, MOSFET simples Vishay - 3
Subsección: "FET, MOSFET simples"
Fabricante: "Vishay"
Fabricantes
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MOSFET automotriz de canal P de 80 V (DS) a 175 ° C
MOSFET de potencia No recomendado para nuevos diseños, use SiHG16N50C
- MOSFET de potencia No recomendado para nuevos diseños, use SiHG16N50C
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MOSFET automotrices de doble canal N 60 V (DS) 175 ° C
MOSFET de doble canal N de 40 V (DS)
MOSFET de canal N de 200 V (DS)
MOSFET de canal P de 30 V (DS)- FET, MOSFET simples Vishay SiZF300DT SiZF300DT-T1-GE3
Diodos y rectificadores Schottky Vishay SiZF300DT
MOSFET de doble canal N de 30 V (DS) con diodo Schottky - MOSFET de canal P 60-V (DS)
- MOSFET de canal P de 20 V (DS)
Común: drenaje MOSFET de doble canal N de 60 V (S1-S2) Caracteristicas MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV Muy baja fuente a fuente en resistencia MOSFET de canal n de drenaje común integrados en un paquete compacto y mejorado térmicamente
MOSFET de canal N de 20 V (DS) TrenchFET® power MOSFET 100% Rg probado- MOSFET automotriz P-Channel 60 V (DS) 175 ° C TrenchFET® power MOSFET AEC-Q101 calificado 100% Rg y UIS probado Paquete: PowerPAK SO-8L
MOSFET de canal N de 60 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV RDS muy bajo - Qg figura de mérito (FOM) Sintonizado para el RDS más bajo - Qoss FOM
MOSFET de potencia- MOSFET de potencia
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