Datasheets - FET, MOSFET simples Vishay

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1. SiHFP450N — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFP450N
   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247
2. IRFP450N — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP450N
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247

3. SiHFU120-GE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFU12 SiHFU120-GE3
   MOSFET de potencia
4. SiHFR120-GE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFR120 SiHFR120-GE3
   MOSFET de potencia
5. IRFU120PbF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFU120 IRFU120PbF
   MOSFET de potencia
6. IRFR120PbF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFR120 IRFR120PbF
   MOSFET de potencia
7. Si7850DP-T1-E3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay Si7850DP Si7850DP-T1-E3
   

   MOSFET de conmutación rápida de canal N de 60 V (DS) en encapsulado PowerPAK SO-8
8. IRFD9020PbF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFD9020 IRFD9020PbF
   MOSFET de potencia de canal P
9. IRFD024 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFD024
   MOSFET de potencia de canal N
10. Si2333DS-T1-GE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay Si2333DS Si2333DS-T1-GE3
    

    MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
11. IRFP064PBF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFP064 IRFP064PBF
    

    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia de encendido y rentabilidad. El ...
12. IRFP460PBF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFP460 IRFP460PBF
    

    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247 Características Clasificación dinámica dV/dt Clasificación de avalancha repetitiva Orificio de montaje central aislado
13. IRF9610PBF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRF9610 IRF9610PBF
    

    MOSFET de potencia en encapsulado TO-220 Clasificación dinámica dV/dt Canal P Cambio rápido
14. IRFP22N60KPBF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
    

    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
15. SQJA80EP-T1_BE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay SQJA80EP SQJA80EP-T1_BE3
    

    MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
16. SI7489DP-T1-GE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay SI7489DP SI7489DP-T1-GE3
    

    MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.
17. IRFZ24PbF-BE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFZ24 IRFZ24PbF-BE3
    Transistores, arreglos y módulos Vishay IRFZ24
    

    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
18. SiHFU9310 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay SiHFU9310
    Transistores, arreglos y módulos Vishay SiHFU9310
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
19. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay SiHFR9310 SiHFR9310-GE3
    Transistores, arreglos y módulos Vishay SiHFR9310
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
20. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
    Transistores, arreglos y módulos Vishay IRFU9310
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...

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