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  1. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2207
    Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 54 A VDS, 200 V RDS (activado), 22 mΩ ID, 14 A ID pulsado, 54 A
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2215
    Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 162 A VDS, 200 V RDS (activado), 8 mΩ ID, 32 A ID pulsado, 162 A