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Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 8 salidas SKY53580 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye entradas duales de cualquier formato y 8 salidas ...- Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 8 salidas SKY53580 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye entradas duales de cualquier formato y 8 salidas ...
Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 4 salidas SKY53540 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye dos entradas de cualquier formato y 4 salidas diferenciales.- Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 4 salidas SKY53540 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye dos entradas de cualquier formato y 4 salidas diferenciales.
- Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 10 salidas SKY53510 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye entradas duales de cualquier formato y 10 salidas ...
Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 10 salidas SKY53510 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye entradas duales de cualquier formato y 10 salidas ...- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.- Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
- IGBT de encendido, 500 V, 27 A, 1,3 V, 300 mJ, DPAK EcoSPARK II, encendido de canal N IGBT de encendido de canal N de 500 V para circuitos de controlador de bobina de encendido automotriz y aplicaciones de bobina en bujía.
Relé de potencia intermedio en miniatura- Relé de potencia intermedio en miniatura
- Relé de potencia intermedio en miniatura
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