Datasheets - Transistores MOSFET Simple Efficient Power Conversion

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "Efficient Power Conversion"
Resultados de la búsqueda: 9 Salida: 1-9

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  1. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2361
    EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...
  2. Transistor de potencia de GaN en modo mejorado de 150 V, 329 A
  1. Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 200 V, 260 A
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2302
    Transistor de potencia en modo de mejora VDS, 100 V RDS (activado), 1,8 mΩ ID, 101 A ID pulsado, 408 A
  3. Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 170 V, 102 A
  4. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2207
    Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 54 A VDS, 200 V RDS (activado), 22 mΩ ID, 14 A ID pulsado, 54 A
  5. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2215
    Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 162 A VDS, 200 V RDS (activado), 8 mΩ ID, 32 A ID pulsado, 162 A
  6. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2051
    Transistor de potencia GaN de modo de mejora de 100 V, 37 A
  7. Transistor de potencia GaN de modo mejorado de 350 V, 26 A

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