Datasheets - Transistores MOSFET Simple Microchip

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "Microchip"
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  1. Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
  2. Modo de agotamiento de canal N DMOS FET
  1. El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral
  2. MOSFET, modo de agotamiento del canal N lateral
  3. 650 V, 8 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  4. Estos transistores de modo de agotamiento (normalmente encendidos) utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
  5. Este transistor de modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendido) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
  6. 250 V, 6 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  7. 450 V, 60 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  8. DN3135 es un transistor de modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
  9. 250V, 3.5 Ohm, N-Channel, Modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  10. 400 V, 25 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  11. 350 V, 25 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  12. 300 V, 12 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  13. Estos transistores de modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendidos) utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
  14. 700 V, 42 ohmios, canal N, modo de agotamiento, DMOS FET vertical
  15. Este transistor de umbral bajo y modo de agotamiento (normalmente activado) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de compuerta de silicio bien probado
  16. Controlador trifásico MOSFET o IGBT de 600V. El MIC4609 presenta un tiempo de filtrado de entrada típico de 300ns para evitar pulsos no deseados y un retraso de propagación de 550ns. El MIC4609 tiene umbrales de entrada TTL. El funcionamiento ...
  17. 60 V, 3 ohmios, canal N, modo de mejora, DMOS FET vertical
  18. El MIC2514 es un interruptor de alimentación de lado alto integrado que consta de una entrada compatible con TTL y un MOSFET Pchannel protegido

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