Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Estos transistores de modo de agotamiento (normalmente encendidos) utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Este transistor de modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendido) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
DN3135 es un transistor de modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Estos transistores de modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendidos) utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Este transistor de umbral bajo y modo de agotamiento (normalmente activado) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de compuerta de silicio bien probado
Controlador trifásico MOSFET o IGBT de 600V. El MIC4609 presenta un tiempo de filtrado de entrada típico de 300ns para evitar pulsos no deseados y un retraso de propagación de 550ns. El MIC4609 tiene umbrales de entrada TTL. El funcionamiento ...