Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 2
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricantes
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedResultados de la búsqueda: 8,105 Salida: 21-40
Ver: Lista / Imágenes
- MOSFET de canal N de 30 V (DS)
Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
- Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
- MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
- MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
Modo de mejora del canal P MOSFET- Modo de mejora del canal P MOSFET
- Modo de mejora del canal P MOSFET
- MOSFET de canal N de silicio
- POTENCIA MOS V 400V 93A 0.035Ω Power MOS V es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de alto voltaje. Esta nueva tecnología minimiza el efecto JFET, aumenta la densidad de empaquetamiento y reduce la resistencia. ...
- Controlador de refuerzo síncrono de bajo coeficiente intelectual con espectro ensanchado El HL8021 es un controlador de refuerzo de alto rendimiento que impulsa una etapa de potencia de refuerzo síncrona MOSFET de canal N, que funciona desde un ...
- Controlador de refuerzo síncrono de bajo coeficiente intelectual con espectro ensanchado El HL8021 es un controlador de refuerzo de alto rendimiento que impulsa una etapa de potencia de refuerzo síncrona MOSFET de canal N, que funciona desde un ...
MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...- MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...
- Matriz Mosfet de par emparejado de doble canal P Los ALD1107/ALD1117 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal P cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de precisión. Los ...
- Matriz Mosfet de par emparejado de cuatro canales P Los ALD1107/ALD1117 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal P cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de precisión. ...
- Matriz Mosfet de par combinado de canal N cuádruple/doble Los ALD1106/ALD1116 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal N cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de ...
- Matriz Mosfet de par combinado de canal N cuádruple/doble Los ALD1106/ALD1116 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal N cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de ...
MOSFET de potencia- MOSFET de potencia