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MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -20 V, -2 A, 70 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso avanzado de Power Trench que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo ...
Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
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MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El DPAK está diseñado para montaje en ...
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Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celda patentada ...
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Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la ...