Datasheet GaNPower International GPI8HINOIC — Ficha de datos
Fabricante | GaNPower International |
Serie | GPI8HINOIC |
Numero de parte | GPI8HINOIC |
GaN Power IC en el paquete DFN5x6
Hojas de datos
Preliminary Datasheet GPI8HINOIC
PDF, 540 Kb, Idioma: en, Archivo subido: dic 26, 2019, Páginas: 7
GaN Power ICin DFN5x6 Package
GaN Power ICin DFN5x6 Package
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Precios
Descripción detallada
Estos dispositivos son IC de alimentación basados en HEMT Power GaN de 650 V que utilizan GaN en modo E patentado (pendiente de patente de EE.
UU.) En tecnología de silicio. El controlador de puerta está integrado con el transistor de potencia principal, lo que resulta en una conmutación rápida, alta densidad de potencia del sistema y bajo costo. El pulso estrecho de activación de borde se usa para controlar el encendido / apagado del dispositivo. Esto da como resultado una alta inmunidad al ruido y un transformador pequeño y económico para aislamiento y cambio de nivel para el interruptor de lado alto en una aplicación de medio puente.
Clasificación del fabricante
- GaN Power HEMT Products > GaNPowerIC (GaN Power IC)