Datasheets - Controladores de puerta

Subsección: "Controladores de puerta"
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  1. Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT Todas las características Sistema en paquete de 600 V que integra un controlador de puerta de medio puente y transistores de potencia de GaN de alto ...
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  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0052102VFA
    Controladores FET de interruptor complementario. 16-CFP -55 a 125
  1. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VEA
    Controladores de potencia de alta velocidad sin inversión 16-CDIP -55 a 125
  2. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401VPA
    Controladores de potencia de alta velocidad sin inversión 8-CDIP -55 a 125
  3. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QPA
    Controladores de potencia de alta velocidad sin inversión 8-CDIP -55 a 125
  4. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401V2A
    Controladores de potencia de alta velocidad sin inversión 20-LCCC -55 a 125
  5. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401Q2A
    Controladores de potencia de alta velocidad sin inversión 20-LCCC -55 a 125
  6. Datasheet Texas Instruments 5962-0051401QEA
    Controladores de potencia de alta velocidad sin inversión 16-CDIP -55 a 125
  7. Controlador de puerta única de 4 A aislado galvánicamente para MOSFET de SiC Todas las características Carril de alta tensión hasta 1200 V Capacidad de corriente del controlador: disipador / fuente de 4 A a 25 ° C Inmunidad transitoria dV / dt ± ...
  8. Controlador de puerta única de 4 A aislado galvánicamente para MOSFET de SiC Todas las características Carril de alta tensión hasta 1200 V Capacidad de corriente del controlador: disipador / fuente de 4 A a 25 ° C Inmunidad transitoria dV / dt ± ...
  9. Controlador de puerta única de 4 A aislado galvánicamente para MOSFET de SiC Todas las características Carril de alta tensión hasta 1200 V Capacidad de corriente del controlador: disipador / fuente de 4 A a 25 ° C Inmunidad transitoria dV / dt ± ...
  10. Controlador de puerta única de 4 A aislado galvánicamente para MOSFET de SiC Todas las características Carril de alta tensión hasta 1200 V Capacidad de corriente del controlador: disipador / fuente de 4 A a 25 ° C Inmunidad transitoria dV / dt ± ...
  11. Controlador de puerta única de 4 A aislado galvánicamente para MOSFET de SiC Todas las características Carril de alta tensión hasta 1200 V Capacidad de corriente del controlador: disipador / fuente de 4 A a 25 ° C Inmunidad transitoria dV / dt ± ...
  12. Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT El MASTERGAN2 es un paquete de sistema de energía avanzado que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en una ...
  13. Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT El MASTERGAN2 es un paquete de sistema de energía avanzado que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en una ...
  14. Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT El MASTERGAN2 es un paquete de sistema de energía avanzado que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en una ...
  15. Datasheet Infineon 2ED24427N01FXUMA1
    Controlador de puerta de lado bajo de doble canal de 24 V con alta corriente para activar interruptores de potencia grandes EiceDRIVER Controlador de compuerta no inversora de lado bajo de doble canal de 24 V para MOSFET o IGBT con corrientes de ...
  16. Controlador de puerta de lado bajo de doble canal de 24 V con alta corriente para activar interruptores de potencia grandes EiceDRIVER Controlador de compuerta no inversora de lado bajo de doble canal de 24 V para MOSFET o IGBT con corrientes de ...