Datasheet Texas Instruments V62/11601-02YE-T — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieUCC27322-EP
Numero de parteV62/11601-02YE-T
Datasheet Texas Instruments V62/11601-02YE-T

Producto mejorado Single 9-A Controlador MOSFET de lado bajo de alta velocidad con Enable 8-SOIC -55 a 125

Hojas de datos

Single 9-A High Speed Low-Side MOSFET Driver With Enable datasheet
PDF, 1.0 Mb, Revisión: C, Archivo publicado: marzo 15, 2013
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin8
Package TypeD
Industry STD TermSOIC
JEDEC CodeR-PDSO-G
Package QTY75
CarrierTUBE
Device Marking27322M
Width (mm)3.91
Length (mm)4.9
Thickness (mm)1.58
Pitch (mm)1.27
Max Height (mm)1.75
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

Fall Time20 ns
Input ThresholdCMOS,TTL
Input VCC(Max)15 V
Input VCC(Min)4 V
Number of Channels1
Operating Temperature Range-40 to 105,-55 to 125 C
Package GroupSOIC
Peak Output Current9 A
Power SwitchMOSFET,IGBT
Prop Delay25 ns
RatingHiRel Enhanced Product
Rise Time20 ns
Special FeaturesEnable Pin

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Space & High Reliability > Power Management Products > MOSFET and IGBT Gate Driver

Otros nombres:

V62/1160102YET, V62/11601 02YE T