Rlocman.es - Hojas de datos
Серия/Модель

Datasheets

Resultados de la búsqueda: 318,077 Salida: 1-20

Ver: Lista / Imágenes

  1. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  2. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  1. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  2. MOSFET de potencia HEXFET
  3. Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
  4. Datasheet Diodes ZRC250F03TA
    Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
  5. Datasheet Diodes ZRC250F02TA
    Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
  6. Datasheet Diodes ZRC250F01TA
    Referencia de voltaje de corriente de rodilla baja de 2,5 V Descripción El ZRC250 utiliza un diseño de circuito de banda prohibida para lograr una referencia de voltaje de micropotencia de precisión de 2,5 voltios. El dispositivo está disponible en ...
  7. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  8. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  9. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  10. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  11. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  12. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  13. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  14. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  15. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  16. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  17. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  18. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños