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  1. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
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  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  1. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  3. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  4. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  5. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  6. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  7. Transistor de silicio epitaxial PNP
  8. Transistor de silicio epitaxial PNP
  9. Transistor de silicio epitaxial PNP
  10. Transistor de silicio epitaxial PNP
  11. MOSFET de potencia HEXFET Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida ...
  12. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  13. 1,0 A, 20 V, rectificador de potencia Schottky, montaje en superficie Schottky Powermite emplea el principio de barrera de Schottky con una barrera de metal y una construcción epitaxial que produce un equilibrio óptimo entre caída de tensión ...
  14. Este potente 10 MIPS (ejecución de instrucción de 100 nanosegundos) pero fácil de programar (solo 77 instrucciones de una sola palabra) El microcontrolador CMOS de 8 bits basado en FLASH empaqueta la potente arquitectura PIC de Microchip en un ...
  15. Este potente 10 MIPS (ejecución de instrucción de 100 nanosegundos) pero fácil de programar (solo 77 instrucciones de una sola palabra) El microcontrolador CMOS de 8 bits basado en FLASH empaqueta la potente arquitectura PIC de Microchip en un ...
  16. Este potente 10 MIPS (ejecución de instrucción de 100 nanosegundos) pero fácil de programar (solo 77 instrucciones de una sola palabra) El microcontrolador CMOS de 8 bits basado en FLASH empaqueta la potente arquitectura PIC de Microchip en un ...