Datasheet Texas Instruments ISO5851QDWQ1 — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | ISO5851-Q1 |
Numero de parte | ISO5851QDWQ1 |
Automotriz, alto CMTI 2.5-A / 5-A aislado IGBT, controlador de puerta MOSFET con características de protección activa 16-SOIC -40 a 125
Hojas de datos
ISO5851-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Active Protection Features datasheet
PDF, 1.5 Mb, Revisión: A, Archivo publicado: dic 22, 2016
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
Pin | 16 |
Package Type | DW |
Industry STD Term | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Package QTY | 40 |
Carrier | TUBE |
Device Marking | ISO5851Q |
Width (mm) | 7.5 |
Length (mm) | 10.3 |
Thickness (mm) | 2.35 |
Pitch (mm) | 1.27 |
Max Height (mm) | 2.65 |
Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage | 2121 Vpk |
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating | 8000 Vpk |
Enable/Disable Function | N/A |
Input VCC(Max) | 5.5 V |
Input VCC(Min) | 3 V |
Isolation Rating | 5700 Vrms |
Number of Channels | 1 |
Operating Temperature Range | -40 to 125 C |
Output VCC/VDD(Max) | 30 V |
Output VCC/VDD(Min) | 15 V |
Package Group | SOIC |
Package Size: mm2:W x L | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) PKG |
Peak Output Current | 5 A |
Power Switch | IGBT |
Prop Delay | 110 ns |
Prop Delay(Max) | 110 ns |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: ISO5851EVM
ISO5851 Evaluation Module (EVM)
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Linea modelo
Serie: ISO5851-Q1 (2)
- ISO5851QDWQ1 ISO5851QDWRQ1
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Isolation > Isolated Gate Driver