Datasheet Texas Instruments ISO5852SQDWRQ1 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieISO5852S-Q1
Numero de parteISO5852SQDWRQ1
Datasheet Texas Instruments ISO5852SQDWRQ1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Controlador de puerta IGBT aislado, MOSFET con salidas divididas y características de protección 16-SOIC -40 a 125

Hojas de datos

ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features datasheet
PDF, 1.7 Mb, Revisión: A, Archivo publicado: dic 22, 2016
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin16
Package TypeDW
Industry STD TermSOIC
JEDEC CodeR-PDSO-G
Package QTY2000
CarrierLARGE T&R
Device MarkingISO5852SQ
Width (mm)7.5
Length (mm)10.3
Thickness (mm)2.35
Pitch (mm)1.27
Max Height (mm)2.65
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage2121 Vpk
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating8000 Vpk
Enable/Disable FunctionN/A
Input VCC(Max)5.5 V
Input VCC(Min)2.25 V
Isolation Rating5700 Vrms
Number of Channels1
Operating Temperature Range-40 to 125 C
Output VCC/VDD(Max)30 V
Output VCC/VDD(Min)15 V
Package GroupSOIC
Package Size: mm2:W x L16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) PKG
Peak Output Current5 A
Power SwitchIGBT
Prop Delay110 ns
Prop Delay(Max)110 ns

Plan ecológico

RoHSObediente

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: ISO5852SEVM
    Reinforced Isolated IGBT Gate Driver Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Linea modelo

Serie: ISO5852S-Q1 (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Isolation > Isolated Gate Driver