Datasheet Texas Instruments LM5113SDX/NOPB — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieLM5113
Numero de parteLM5113SDX/NOPB
Datasheet Texas Instruments LM5113SDX/NOPB

100 V 1.2-A / 5-A, controlador de puerta de medio puente para FET de GaN en modo de mejora 10-WSON -40 a 125

Hojas de datos

LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs datasheet
PDF, 2.4 Mb, Revisión: G, Archivo publicado: oct 14, 2015
Extracto del documento

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin10
Package TypeDPR
Industry STD TermWSON
JEDEC CodeS-PDSO-N
Package QTY4500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingL5113
Width (mm)4
Length (mm)4
Thickness (mm).75
Pitch (mm).8
Max Height (mm).8
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

Bus Voltage90 V
Driver ConfigurationDual,Independent
Fall Time3.5 ns
Input ThresholdTTL
Input VCC(Max)5.5 V
Input VCC(Min)4.5 V
Number of Channels2
Operating Temperature Range-40 to 125 C
Package GroupWSON
Package Size: mm2:W x LSee datasheet (WSON) PKG
Peak Output Current5 A
Power SwitchMOSFET,GaNFET
Prop Delay30 ns
RatingCatalog
Rise Time7 ns

Plan ecológico

RoHSObediente

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: LM5113LLPEVB
    LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
  • Evaluation Modules & Boards: UCC27611OLEVM-203
    UCC27611 Gate Driver Open Loop Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Notas de aplicación

  • Design Considerations for LM5113 Advanced GaN FET Driver at High Frequency Oper
    PDF, 572 Kb, Archivo publicado: sept 15, 2014
    Design Considerations for LM5113 Advanced eGaN FET Driver at High Frequency Operation

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN)В  Solutions > GaN FET Drivers