Datasheet Texas Instruments XLMG3410RWHT — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | LMG3410 |
| Numero de parte | XLMG3410RWHT |
600-V 12-A Etapa de potencia GaN de un solo canal 32-VQFN -40 a 125
Hojas de datos
LMG3410 600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage datasheet
PDF, 630 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: marzo 24, 2017
Extracto del documento
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
| Pin | 32 |
| Package Type | RWH |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Width (mm) | 8 |
| Length (mm) | 8 |
| Thickness (mm) | .9 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Configuration | Single-Channel Power Stage |
| Control Method | External |
| Coss | 71 pF |
| ID(Max) | 12 A |
| Logic Level | 3V to 5V CMOS and TTL |
| Package Group | VQFN |
| Prop Delay | 20 ns |
| RDS (on) | 70 Milliohm |
| Rating | Catalog |
| VCC | 12 V |
| VDS(Max) | 600 V |
Plan ecológico
| RoHS | See ti.com |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: LMG3410-HB-EVM
LMG3410 Daughter Card
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños) - Evaluation Modules & Boards: LMG34XX-BB-EVM
LMG34xx GaN System-level Evaluation Mother Board
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Notas de aplicación
- High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410 Smart GaN FETPDF, 694 Kb, Archivo publicado: feb 23, 2016
Linea modelo
Serie: LMG3410 (1)
- XLMG3410RWHT
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN)В Solutions > GaN FET Modules