Datasheet Texas Instruments LMG3410 — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | LMG3410 |
Etapa de potencia GaN de un solo canal de 600 V y 12 A
Hojas de datos
LMG3410 600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage datasheet
PDF, 630 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: marzo 24, 2017
Extracto del documento
Estado
| XLMG3410RWHT | |
|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
| XLMG3410RWHT | |
|---|---|
| N | 1 |
| Pin | 32 |
| Package Type | RWH |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Width (mm) | 8 |
| Length (mm) | 8 |
| Thickness (mm) | .9 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Parameters / Models | XLMG3410RWHT |
|---|---|
| Configuration | Single-Channel Power Stage |
| Control Method | External |
| Coss, pF | 71 |
| ID(Max), A | 12 |
| Logic Level | 3V to 5V CMOS and TTL |
| Package Group | VQFN |
| Prop Delay, ns | 20 |
| RDS (on), Milliohm | 70 |
| Rating | Catalog |
| VCC, V | 12 |
| VDS(Max), V | 600 |
Plan ecológico
| XLMG3410RWHT | |
|---|---|
| RoHS | See ti.com |
Notas de aplicación
- High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410 Smart GaN FETPDF, 694 Kb, Archivo publicado: feb 23, 2016
Linea modelo
Serie: LMG3410 (1)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Gallium Nitride (GaN)В Solutions> GaN FET Modules