Datasheet Microchip TN2510 — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieTN2510

Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

TN2510 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 632 Kb, Revisión: 06-27-2014
Extracto del documento

Precios

Estado

TN2510N8-G
Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

TN2510N8-G
N1
PackageSOT-89
Pins3

Paramétricos

Parameters / ModelsTN2510N8-G
BVdss min, V100
CISSmax, pF125
Operating Temperature Range, °C-55 to +150
Rds, on) max1.5
Vgs(th) max, V2.0

Plan ecológico

TN2510N8-G
RoHSObediente

Linea modelo

Serie: TN2510 (1)