Datasheet Microchip VN2106 — Ficha de datos
| Fabricante | Microchip |
| Serie | VN2106 |
Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revisión: 12-23-2008
Extracto del documento
Estado
| VN2106N3-G | |
|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| VN2106N3-G | |
|---|---|
| N | 1 |
| Package | TO-92 |
| Pins | 3 |
Paramétricos
| Parameters / Models | VN2106N3-G |
|---|---|
| BVdss min, V | 60 |
| CISSmax, pF | 50 |
| Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 |
| Rds, on) max | 4.0 |
| Vgs(th) max, V | 2.4 |
Plan ecológico
| VN2106N3-G | |
|---|---|
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: VN2106 (1)