Datasheet Microchip VN2106 — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieVN2106

Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revisión: 12-23-2008
Extracto del documento

Precios

Estado

VN2106N3-G
Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

VN2106N3-G
N1
PackageTO-92
Pins3

Paramétricos

Parameters / ModelsVN2106N3-G
BVdss min, V60
CISSmax, pF50
Operating Temperature Range, °C-55 to +150
Rds, on) max4.0
Vgs(th) max, V2.4

Plan ecológico

VN2106N3-G
RoHSObediente

Linea modelo

Serie: VN2106 (1)