Datasheet Analog Devices HMC636 — Ficha de datos
| Fabricante | Analog Devices |
| Serie | HMC636 |
Amplificador SMT IP3 alto, 0.2 - 4.0 GHz
Hojas de datos
Datasheet HMC636ST89, 636ST89E
PDF, 397 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 7, 2019, Páginas: 6
GaAs pHEMT High Linearity Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz
GaAs pHEMT High Linearity Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz
Extracto del documento
Estado
| HMC636ST89 | HMC636ST89E | HMC636ST89ETR | HMC636ST89TR | |
|---|---|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| HMC636ST89 | HMC636ST89E | HMC636ST89ETR | HMC636ST89TR | |
|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Package | 3-Lead SOT-89 | 3-Lead SOT-89 | 3-Lead SOT-89 | 3-Lead SOT-89 |
| Pins | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Package Code | RK-3 | RK-3 | RK-3 | RK-3 |
Paramétricos
| Parameters / Models | HMC636ST89 | HMC636ST89E | HMC636ST89ETR | HMC636ST89TR |
|---|---|---|---|---|
| Freq Response RF(max), Hz | 4G | 4G | 4G | 4G |
| Freq Response RF(min), Hz | 200M | 200M | 200M | 200M |
| Gain dB(typ), dB | 13 | 13 | 13 | 13 |
| Is(typ), A | 155m | 155m | 155m | 155m |
| NF(typ), dB | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| OIP3(typ), dBm | 39 | 39 | 39 | 39 |
| OP1dB(typ), dBm | 22 | 22 | 22 | 22 |
| Operating Temperature Range, °C | -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 |
| RF Primary Function | Gain Block | Gain Block | Gain Block | Gain Block |
| Vs(typ), V | 5 | 5 | 5 | 5 |
Plan ecológico
| HMC636ST89 | HMC636ST89E | HMC636ST89ETR | HMC636ST89TR | |
|---|---|---|---|---|
| RoHS | Desobediente | Obediente | Obediente | Desobediente |
Linea modelo
Serie: HMC636 (4)
Clasificación del fabricante
- Amplifiers > Gain Blocks
- RF & Microwave > Gain Blocks