Datasheet Analog Devices ADG636YRUZ — Ficha de datos

FabricanteAnalog Devices
SerieADG636
Numero de parteADG636YRUZ

Inyección de carga de 1 pC, fuga de 100 pA, CMOS, interruptor SPDT dual de ±5 V/+5 V/+3 V

Hojas de datos

Datasheet ADG636
PDF, 505 Kb, Idioma: en, Revisión: B, Archivo subido: abr 24, 2022, Páginas: 16
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

Package14-Lead TSSOP
Pins14
Package CodeRU-14

Paramétricos

BW -3 dB typ610M Hz
Charge Injection-1.2p C
Device Config(2:1) x 2
InterfaceParallel
Leakage Switch ON typ10p A
Operating Temperature Range-40 to 125 °C
Package14-Lead TSSOP
Switch Ron typ85 Ohms
Vs Span Dual max11 V
Vs Span Dual min5.4 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Switches and Multiplexers > Dual-Supply Analog Switches and Multiplexers | Single-Supply Analog Switches and Multiplexers