Datasheet F3L11MR12W2M1_B65 (Infineon) - 10

FabricanteInfineon
Descripción3-Level 1200 V CoolSiC™ Module
Páginas / Página11 / 10 — VorläufigeDaten. PreliminaryData. Schaltplan/Circuitdiagram. …
Revisión02_01
Formato / tamaño de archivoPDF / 675 Kb
Idioma del documentoInglés

VorläufigeDaten. PreliminaryData. Schaltplan/Circuitdiagram. Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Línea de modelo para esta hoja de datos

Versión de texto del documento

F3L11MR12W2M1_B65
VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon Datasheet 10 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /