Datasheet BCV61 (Infineon) - 2

FabricanteInfineon
DescripciónNPN Silicon Double Transistor
Páginas / Página7 / 2 — BCV61. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. …
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Idioma del documentoInglés

BCV61. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. DC Characteristics of T1

BCV61 Electrical Characteristics Parameter Symbol Values Unit min typ max DC Characteristics of T1

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BCV61 Electrical Characteristics
at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics of T1
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO 30 - - V IC = 10 mA, IB = 0 Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO 30 - - IC = 10 µA, IE = 0 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO 6 - - IE = 10 µA, IC = 0 Collector cutoff current ICBO - - 15 nA VCB = 30 V, IE = 0 Collector cutoff current ICBO - - 5 µA VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C DC current gain1) hFE 100 - - - IC = 0.1 mA, VCE = 5 V DC current gain1) hFE IC = 2 mA, VCE = 5 V, BCV61B 200 290 450 IC = 2 mA, VCE = 5 V, BCV61C 420 520 800 Collector-emitter saturation voltage1) VCEsat mV IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 90 250 IC = 100 mA, IB = 5 mA - 200 600 Base-emitter saturation voltage1) VBEsat IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 700 - IC = 100 mA, IB = 5 mA - 900 - Base-emitter voltage1) VBE(ON) IC = 2 mA, VCE = 5 V 580 660 700 IC = 10 mA, VCE = 5 V - - 770 1Puls test: t ≤ 300 µs, D = 2% 2 2011-10-13