Datasheet 1508МТ015, К1508МТ015, К1508МТ015К, 1508МТ01Н4, К1508МТ01Н4 (Миландр) - 10

FabricanteМиландр
DescripciónМикросхема синтезатора частот с дробным коэффициентом деления и встроенным генератором, управляемым напряжением
Páginas / Página42 / 10 — Спецификация 1508МТ015, К1508МТ015, К1508МТ015К, 1508МТ01Н4, К1508МТ01Н4. …
Formato / tamaño de archivoPDF / 1.4 Mb
Idioma del documentoInglés

Спецификация 1508МТ015, К1508МТ015, К1508МТ015К, 1508МТ01Н4, К1508МТ01Н4. 5.4. Фазовый детектор и зарядно-разрядный блок

Спецификация 1508МТ015, К1508МТ015, К1508МТ015К, 1508МТ01Н4, К1508МТ01Н4 5.4 Фазовый детектор и зарядно-разрядный блок

Línea de modelo para esta hoja de datos

Versión de texto del documento

Спецификация 1508МТ015, К1508МТ015, К1508МТ015К, 1508МТ01Н4, К1508МТ01Н4 5.4 Фазовый детектор и зарядно-разрядный блок VCCA4 TRI CPT<1:0> CPCUR<4:0> CPOFF<6:0> PFDSIGN OFP ENOFFSET От делителя опорной частоты UP Переключатель Фазовый полярности детектор CP От петлевого делителя частоты DN CPOFF<6:0> OFP CPCUR<4:0> ENOFFSET GNDA
Рисунок 5 – Структурная схема фазового детектора и зарядно-разрядного блока Фазовый детектор построен по схеме с третьим состоянием и компенсацией мертвой зоны. Зарядно–разрядный блок (ЗРБ) представляет собой источники втекающего и вытекающего тока, управляемые сигналами фазового детектора. Величина тока источников ЗРБ определяется значением резистора, включенного между входом RREF и общим выводом, и значением управляющего поля СPCUR <4:0> в соответствии с выражением 𝐼𝐶𝑃 = 0,851∗(1+CPCUR) (3) 𝑅𝑅𝐸𝐹 Значение СPCUR может быть задано в диапазоне от 0 до 31. Номинальное значение RREF составляет 5,23 кОм. При таком значении RREF минимально возможный (при СPCUR = 0) ток ЗРБ составляет 160 мкА, а максимально возможный (при СPCUR = 31) – 5,12 мА. При необходимости работы с другими значениями тока ЗРБ допускается установка резистора RREF другого номинала в диапазоне от 2,5 до 10 кОм.
5.4.1 Ток смещения ЗРБ
Вследствие нелинейности передаточной характеристики ЗРБ и фазового детектора вблизи нулевой разности фаз входных сигналов в дробных режимах работы возникает непредсказуемо большое повышение фазового шума внутри полосы пропускания ФАПЧ. Для уменьшения данного эффекта необходимо смещение области работы детектора в зону большей линейности. Это достигается введением постоянно включенной добавки к выходному току ЗРБ. Добавка может быть как втекающая, так и вытекающая. Смещение области работы детектора уменьшает описанный эффект, однако увеличивает вклад собственного шума источников тока ЗРБ в общий фазовый шум ФАПЧ и, кроме того, увеличивает уровень паразитных сигналов на частоте сравнения ФАПЧ (reference spurs). Таким образом, существует © АО «ПКК Миландр» ТСКЯ.431239.004CП 10 Document Outline 1 Структурная блок-схема микросхемы 2 Условное графическое обозначение 3 Описание выводов 4 Указания по применению и эксплуатации 5 Описание функционирования микросхемы 5.1 Общее описание микросхемы 5.2 Тракт опорной частоты 5.3 Петлевой делитель частоты 5.4 Фазовый детектор и зарядно-разрядный блок 5.4.1 Ток смещения ЗРБ 5.5 Генератор, управляемый напряжением 5.6 Система автоматической установки диапазона ГУН 5.7 Работа в режиме с отключенной автокалибровкой и непосредственной установкой рабочего диапазона ГУН 5.8 Выходные делители частоты, выходы RF, CMOS, LVDS 5.9 Детектор захвата частоты 5.10 Универсальный выход MUXOUT 5.11 Функция быстрого захвата частоты (Fast Lock) 5.12 Функция предотвращения «проскальзывания» циклов (CSR – Cycle Slip Reduction) 5.13 Отключение буферов выходного сигнала 5.14 Фазовый шум и паразитные составляющие спектра выходного сигнала в дробных режимах работы 5.15 Функция управления фазой выходного сигнала 5.16 Ток потребления в различных режимах работы 5.17 Процедура включения и начальное состояние микросхемы 5.18 Описание протокола интерфейса программирования 5.18.1 Запись регистров управления 5.18.2 Чтение внутренних регистров состояния 5.19 Карта регистров SPI-интерфейса 6 Типовая схема включения микросхемы 7 Предельно-допустимые характеристики микросхемы 8 Электрические параметры микросхемы 9 Справочные данные 10 Основные зависимости 11 Габаритный чертеж микросхемы 12 Информация для заказа 13 Лист регистрации изменений