Datasheet NV6123 (Navitas Semiconductor) - 9
| Fabricante | Navitas Semiconductor |
| Descripción | 650 V GaNFast Power IC |
| Páginas / Página | 23 / 9 — NV6123. Characteristic Graphs (Cont.). Final Datasheet. Rev Nov 22, 2019 |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 2.4 Mb |
| Idioma del documento | Inglés |
NV6123. Characteristic Graphs (Cont.). Final Datasheet. Rev Nov 22, 2019
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
NV6123 Characteristic Graphs (Cont.)
Fig. 15. Slew rate (dV/dt) vs. gate drive turn-on Fig. 16. Power dissipation (P ) vs. TOT current set resistance (R ) at T = 25 °C case temperature (T ) DD C Fig. 17. Max. thermal transient impedance (Z ) vs. thJC pulse width (t ) P
Final Datasheet 9 Rev Nov 22, 2019
Fig. 15. Slew rate (dV/dt) vs. gate drive turn-on Fig. 16. Power dissipation (P ) vs. TOT current set resistance (R ) at T = 25 °C case temperature (T ) DD C Fig. 17. Max. thermal transient impedance (Z ) vs. thJC pulse width (t ) P
Final Datasheet 9 Rev Nov 22, 2019