Datasheet КТ315 (Интеграл)
| Fabricante | Интеграл |
| Descripción | Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор в корпусе КТ-26 (ТО-92) |
| Páginas / Página | 3 / 1 — КТ315. Назначение. Зарубежный прототип. Номер технических условий. … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 147 Kb |
| Idioma del documento | Ruso |
КТ315. Назначение. Зарубежный прототип. Номер технических условий. Особенности. Корпусное исполнение. Назначение выводов
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
КТ315
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Зарубежный прототип
• прототип 2SС544…2SС546
Номер технических условий
• ЖКЗ.365.200 ТУ / 02
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 45 до + 100°C
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод Назначение №1 База №2 Коллектор №3 Эмиттер КТ315 (май 2012г., редакция 1.1) 1
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Зарубежный прототип
• прототип 2SС544…2SС546
Номер технических условий
• ЖКЗ.365.200 ТУ / 02
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 45 до + 100°C
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод Назначение №1 База №2 Коллектор №3 Эмиттер КТ315 (май 2012г., редакция 1.1) 1