Datasheet 2N6052, 2N6058, 2N6059 (ON Semiconductor) - 2

FabricanteON Semiconductor
DescripciónDarlington Complementary Silicon Power Transistors
Páginas / Página7 / 2 — 2N6052. *ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. …
Formato / tamaño de archivoPDF / 180 Kb
Idioma del documentoInglés

2N6052. *ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. Unit. OFF CHARACTERISTICS. ON CHARACTERISTICS (2)

2N6052 *ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS (2)

Línea de modelo para esta hoja de datos

Versión de texto del documento

2N6052
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (2) V Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ CEO(sus) ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6058 80 — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 2N6052, 2N6059 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 100 — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEO mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6058 ÎÎÎÎÎÎ — ÎÎÎ 1.0 ÎÎ (VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6052, 2N6059 — 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEX mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ (VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 0.5 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ CE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 5.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Emitter Cutoff Current IEBO — ÎÎÎÎ 2.0 mAdc (V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ BE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain h — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ FE ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (I ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage V ÎÎÎÎ CE(sat) Vdc (I ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) ÎÎÎÎÎÎ — ÎÎÎ 2.0 ÎÎ (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) — 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 4.0 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Base−Emitter On Voltage VBE(on) — 2.8 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Magnitude of Common Emitter Small−Signal Short Circuit Forward ÎÎÎÎÎ |hfe| ÎÎÎ 4.0 ÎÎÎÎ — ÎÎÎ MHz Current Transfer Ratio ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Output Capacitance 2N6052 Cob — 500 pF (V — 300 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ CB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6058/2N6059 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Small−Signal Current Gain hfe ÎÎÎ 300 ÎÎÎÎ — — (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ *Indicates JEDEC Registered Data. ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (2) Pulse test: Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle = 2.0%. VCC 10 RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS −30 V 2N6052 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 5.0 2N6059 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC MSD6100 USED BELOW I SCOPE ts B ≈ 100 mA TUT V 2.0 2 RB approx tf (s)μ +8.0 V 1.0 D 51 1 ≈ 5.0 k ≈ 50 0 t, TIME tr V1 0.5 approx +4.0 V VCC = 30 V −8.0 V t 25 μs d @ VBE(off) = 0 for td and tr, D1 is disconnected IC/IB = 250 and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2 tr, tf ≤ 10 ns T DUTY CYCLE = 1.0% J = 25°C 0.1 0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20 For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times http://onsemi.com 2