Datasheet MJ14001, MJ14002, MJ14003 (ON Semiconductor) - 2
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Descripción | High−Current Complementary Silicon Power Transistors |
| Páginas / Página | 7 / 2 — MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP). THERMAL CHARACTERISTICS. … |
| Revisión | 6 |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 172 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP). THERMAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Max. Unit
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
link to page 2 link to page 2 link to page 2 link to page 2 link to page 2 link to page 4
MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Thermal Resistance, Junction−to−Case RqJC 0.584 _C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1) ÎÎÎÎ VCEO(sus)ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc (IC = 200 mAdc, IB = 0) MJ14001 60 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MJ14002, MJ14003 ÎÎÎÎÎÎ 80 ÎÎ − ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEO mA (VCE = 30 Vdc, IB = 0) MJ14001 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (VCE = 40 Vdc, IB = 0) MJ14402, MJ14003 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEX mA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14001 ÎÎÎÎÎÎ − ÎÎ 1.0 ÎÎ (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14002, MJ14003 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current ICBO mA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (V ÎÎÎ CB = 60 Vdc, IE = 0) MJ14001 − 1.0 (VCB = 80 Vdc, IE = 0) MJ14002, MJ14003 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Cutoff Current IEBO − 1.0 mA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain (Note 1) ÎÎÎÎ h ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ FE − (IC = 25 Adc, VCE = 3.0 V) 30 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 50 Adc, VCE = 3.0 V) 15 100 (I 5.0 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 60 Adc, VCE = 3.0 V) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1) V Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ CE(sat) ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (I ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) − 2.5 (IC = 60 Adc, IB = 12 Adc) − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) − 2.0 (I − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 60 Adc, IB = 12 Adc) − 4.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Output Capacitance Cob − 2000 pF (V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ CB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 100 There are two limitations on the power handling ability of 5.0 ms 1.0 ms 70 1.0 ms 50 a transistor: average junction temperature and second 30 breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE 20 dc (AMP) limits of the transistor that must be observed for reliable 10 operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater 7.0 5.0 TC = 25°C dissipation than the curves indicate. CURRENT WIRE BOND LIMIT 3.0 The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is OR 2.0 THERMAL LIMIT SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse 1.0 limits are valid for duty cycles to 10% provided T 0.7 J(pk) 0.5 v 200_C. TJ(pk) may be calculated from the data in , COLLECT I C 0.3 Figure 13. At high case temperatures, thermal limitations 0.2 MJ14001 MJ14002, MJ14003 will reduce the power that can be handled to values less than 0.1 the limitations imposed by second breakdown. 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area http://onsemi.com 2
MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Thermal Resistance, Junction−to−Case RqJC 0.584 _C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1) ÎÎÎÎ VCEO(sus)ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc (IC = 200 mAdc, IB = 0) MJ14001 60 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MJ14002, MJ14003 ÎÎÎÎÎÎ 80 ÎÎ − ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEO mA (VCE = 30 Vdc, IB = 0) MJ14001 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (VCE = 40 Vdc, IB = 0) MJ14402, MJ14003 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEX mA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14001 ÎÎÎÎÎÎ − ÎÎ 1.0 ÎÎ (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14002, MJ14003 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current ICBO mA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (V ÎÎÎ CB = 60 Vdc, IE = 0) MJ14001 − 1.0 (VCB = 80 Vdc, IE = 0) MJ14002, MJ14003 − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Cutoff Current IEBO − 1.0 mA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain (Note 1) ÎÎÎÎ h ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ FE − (IC = 25 Adc, VCE = 3.0 V) 30 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 50 Adc, VCE = 3.0 V) 15 100 (I 5.0 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 60 Adc, VCE = 3.0 V) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1) V Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ CE(sat) ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) − 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (I ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) − 2.5 (IC = 60 Adc, IB = 12 Adc) − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) − 2.0 (I − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 60 Adc, IB = 12 Adc) − 4.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Output Capacitance Cob − 2000 pF (V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ CB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 100 There are two limitations on the power handling ability of 5.0 ms 1.0 ms 70 1.0 ms 50 a transistor: average junction temperature and second 30 breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE 20 dc (AMP) limits of the transistor that must be observed for reliable 10 operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater 7.0 5.0 TC = 25°C dissipation than the curves indicate. CURRENT WIRE BOND LIMIT 3.0 The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is OR 2.0 THERMAL LIMIT SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse 1.0 limits are valid for duty cycles to 10% provided T 0.7 J(pk) 0.5 v 200_C. TJ(pk) may be calculated from the data in , COLLECT I C 0.3 Figure 13. At high case temperatures, thermal limitations 0.2 MJ14001 MJ14002, MJ14003 will reduce the power that can be handled to values less than 0.1 the limitations imposed by second breakdown. 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area http://onsemi.com 2