Datasheet IRGPS60B120KDP (Infineon) - 8
| Fabricante | Infineon |
| Descripción | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Ultrafast Soft Recovery Diode in TO-274AA package |
| Páginas / Página | 12 / 8 — Fig. 21. Fig. 22. Fig. 23 |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 142 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
Fig. 21. Fig. 22. Fig. 23
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IRGPS60B120KDP 4000 3500 3000 4.7Ω ) 2500 J µ( 22Ω y 2000 gr 47Ω e n E 1500 100Ω 1000 500 0 0 20 40 60 80 100 IF (A)
Fig. 21
- Typical Diode ERR vs. IF TJ = 125°C 10000 16 Cies 14 600V 12 800V ) 1000 F p 10 ( ) e V c Coes ( n E 8 ati G c V a p Cres 6 a 100 C 4 2 0 10 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 20 40 60 80 100 Q V G , Total Gate Charge (nC) CE (V)
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
Fig. 23
- Typical Gate Charge CE vs. VGE V I GE= 0V; f = 1MHz CE = 60A; L = 600µH 8 www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode ERR vs. IF TJ = 125°C 10000 16 Cies 14 600V 12 800V ) 1000 F p 10 ( ) e V c Coes ( n E 8 ati G c V a p Cres 6 a 100 C 4 2 0 10 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 20 40 60 80 100 Q V G , Total Gate Charge (nC) CE (V)
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
Fig. 23
- Typical Gate Charge CE vs. VGE V I GE= 0V; f = 1MHz CE = 60A; L = 600µH 8 www.irf.com