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  1. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  2. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  1. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  2. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  3. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  4. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  5. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  6. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  7. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  8. MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -30 V, -11 A, 14 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ...
  9. Transistores Darlington NPN
  10. Transistores Darlington NPN
  11. Transistores Darlington NPN
  12. Convertidor de reloj en cuadratura
  13. Convertidor de reloj en cuadratura
  14. Codificador Soltem
  15. Chip de fuente de alimentación de modo conmutado integrado que convierte una corriente en la entrada de control en un ciclo de trabajo en la salida de drenaje abierto de un MOSFET de potencia de alto voltaje.
  16. Chip de fuente de alimentación de modo conmutado integrado que convierte una corriente en la entrada de control en un ciclo de trabajo en la salida de drenaje abierto de un MOSFET de potencia de alto voltaje.
  17. Chip de fuente de alimentación de modo conmutado integrado que convierte una corriente en la entrada de control en un ciclo de trabajo en la salida de drenaje abierto de un MOSFET de potencia de alto voltaje.
  18. Chip de fuente de alimentación de modo conmutado. Chip de fuente de alimentación de modo conmutado integrado que convierte una corriente en la entrada de control en un ciclo de trabajo en la salida de drenaje abierto de un MOSFET de potencia de ...