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Termistores NTC de grado comercial SMD 0201 Termistor SMD en chip tamaño 0201 (M0603) con coeficiente de temperatura negativo (TCR) y terminaciones estañadas (Sn) mate. El dispositivo no tiene marca. Disponible en cinta de papel perforada de 8 mm ...
NPN doble, 40 V, 0,2 A, SOT363
- NPN doble, 40 V, 0,2 A, SOT363
Circuito integrado protector para amplificador de potencia estéreo, paquete SIP-8 UTC UPC1237 es un circuito integrado semiconductor diseñado para proteger amplificadores de potencia estéreo y altavoces.
Circuito de protección para amplificador de potencia y altavoz OCL en encapsulado SIP-9-PA- CI protector para amplificador de potencia estéreo El NTE7100 es un circuito integrado monolítico en un paquete tipo SIP de 8 conductores diseñado para proteger amplificadores de potencia estéreo y altavoces.
Diodos de conmutación de pequeña señal en encapsulado DO−204AH (DO−35)- Diodos de conmutación de pequeña señal en encapsulado DO−204AH (DO−35)
- Diodos de conmutación de pequeña señal en encapsulado DO−204AH (DO−35)
- Diodos de conmutación de pequeña señal en encapsulado DO−204AH (DO−35)
Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 8 salidas SKY53580 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye entradas duales de cualquier formato y 8 salidas ...
Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 4 salidas SKY53540 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye dos entradas de cualquier formato y 4 salidas diferenciales.- Buffer de reloj Ulta de baja fluctuación aditiva de 10 salidas SKY53510 es un búfer fanuot de reloj de CC a 3,1 GHz con fluctuación aditiva ultrabaja (35 fs RMS) y bajo consumo que incluye entradas duales de cualquier formato y 10 salidas ...
- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.- IGBT de encendido, 500 V, 27 A, 1,3 V, 300 mJ, DPAK EcoSPARK II, encendido de canal N IGBT de encendido de canal N de 500 V para circuitos de controlador de bobina de encendido automotriz y aplicaciones de bobina en bujía.
Relé de potencia intermedio en miniatura- Rectificadores de barrera Schottky de montaje superficial de 20 V a 100 V y 3,0 amperios
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...- Acoplador de foto de tipo de salida de transistor de 1 canal