Datasheet Texas Instruments CSD17308Q3 — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD17308Q3 |
| Numero de parte | CSD17308Q3 |
MOSFET de potencia de canal N NexFET ™ de 30 V 8-VSON-CLIP -55 a 150
Hojas de datos
CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 406 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: oct 29, 2015
Extracto del documento
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Device Marking | CSD17308 |
| Width (mm) | 3.3 |
| Length (mm) | 3.3 |
| Thickness (mm) | 1 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 47 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 78 A |
| Package | SON3x3 mm |
| QG Typ | 3.9 nC |
| QGD Typ | 0.8 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 9.4 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 11.8 mOhms |
| VDS | 30 V |
| VGS | 10 V |
| VGSTH Typ | 1.3 V |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
| Pb gratis | Sí |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: BQ500211AEVM-210
bq500211A Evaluation Module
Estado del ciclo de vida: Obsoleto (El fabricante ha interrumpido la producción del dispositivo)
Notas de aplicación
- A solar-powered buck/boost battery chargerPDF, 334 Kb, Archivo publicado: abr 26, 2012
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011
Linea modelo
Serie: CSD17308Q3 (2)
- CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor