Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Transistor FET TrenchMOS de canal N de nivel ultrabajo en encapsulado SOT23 Transistor de efecto de campo (FET) de canal N de nivel ultrabajo y modo de enriquecimiento en encapsulado plástico, que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está ...
MOSFET IR de canal N único de 55 V en encapsulado SOT-223- MOSFET IR de canal N único de 55 V en encapsulado SOT-223
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Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247
Transistor de potencia GaN de modo de enriquecimiento de 100 V, 231 A- MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
- 240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
N-Channel Power MOSFET 500V, 5.5A, 2Ω in ATPAK package Obsoleto