Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. MOSFET de unidad de 1,2 V Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia gama que incluye tipo compacto, tipo de ...
  2. Datasheet Rohm RZM001P02T2L
    MOSFET de unidad de 1,2 V Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia gama que incluye tipo compacto, tipo de ...
  3. Datasheet Nexperia BUK9V13-40HX
    MOSFET de nivel lógico de 40 V y 13 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel lógico en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este ...
  4. MOSFET de nivel lógico de 40 V y 13 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel lógico en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este ...
  1. MOSFET de nivel estándar de 40 V y 4,2 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel estándar en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. ...
  2. Datasheet Nexperia BUK7V4R2-40HX
    MOSFET de nivel estándar de 40 V y 4,2 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel estándar en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. ...
  3. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  4. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  5. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  6. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  7. Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
  8. Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
  9. Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
  10. Transistor de efecto de campo de potencia TMOS E-FET - Puerta de silicio de modo de mejora de canal N - TMOS Power FET 2.0 amperios 500 voltios RDS (encendido) = 3.6 ohmios - caja 221A – 06, estilo 5, TO – 220AB Este MOSFET de alto voltaje utiliza ...
  11. CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
  12. CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
  13. CANAL P 30V - 0.025 Ohm - 24A STripFET II POWER MOSFET Este Power MOSFET es el último desarrollo del proceso único basado en tiras de “tamaño de función única” de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento ...
  14. Datasheet Infineon IRF7389TRPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal doble N y P de 30 V en un paquete SO-8
  15. MOSFET de potencia HEXFET de canal doble N y P de 30 V en un paquete SO-8
  16. Datasheet Infineon IRF7389PBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal doble N y P de 30 V en un paquete SO-8