Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  2. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  1. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
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  13. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el ...
  14. MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -30 V, -11 A, 14 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso PowerTrench avanzado que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ...
  15. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2361
    EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...
  16. MOSFET de canal N de 30 V (DS)
  17. Datasheet Diodes DMP2160UWQ-7
    Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
  18. Modo de mejora del canal P Mosfet Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.