Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247 Características Corriente de drenaje: ID = 26 A a TC = 25 ℃ Voltaje de la fuente de drenaje: VDSS = 500 V (mín.) Resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) = 0,2 Ω ...- MOSFET de potencia en encapsulado TO-247 Características Clasificación dinámica dV/dt Clasificación de avalancha repetitiva Orificio de montaje central aislado
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MOSFET de potencia en encapsulado TO-220 Clasificación dinámica dV/dt Canal P Cambio rápido- MOSFET de potencia en encapsulado TO-220 Clasificación dinámica dV/dt Canal P Cambio rápido
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MOSFET DEPL DE CANAL N 250V 10 OHMS SOT-89 TR | Serie: MOSFETs de modo de agotamiento de canal N Nuestros transistores de efecto de campo (FET) de canal N en modo de agotamiento utilizan un proceso DMOS vertical de tercera generación patentado. ...- MOSFET DEPL DE CANAL N 250V 10 OHMS SOT-89 TR | Serie: MOSFETs de modo de agotamiento de canal N Nuestros transistores de efecto de campo (FET) de canal N en modo de agotamiento utilizan un proceso DMOS vertical de tercera generación patentado. ...
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Transistor MOSFET de canal N en encapsulado DPAK/TO-252
MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F- MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F
- MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F
- MOSFET de potencia SuperMESH de canal N, 900 V, 1,1 Ω, 8 A, encapsulados TO-220, TO-220FP, D2PAK y TO-247, con protección Zener.
MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...- MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C- MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
- MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.