Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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- MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...
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Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.- Puente H MOSFET de modo de mejora complementario de 40 V Este puente H MOSFET complementario de nueva generación presenta 2 canales N y 2 canales P en un paquete SOIC.
MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...- MOSFET de nivel lógico de canal N de 30 V y 8 mΩ en LFPAK Transistor de efecto de campo (FET) de nivel lógico con canal N en modo de mejora en encapsulado plástico con tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y homologado para su uso en ...
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MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...- MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, complementario MCPH6 Obsoleto MCH6613 es un MOSFET de pequeña señal, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, MCPH6 complementario para aplicaciones de dispositivos de ...
Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...- Modo de mejora del canal P MOSFET Este MOSFET de modo de mejora de canal P de 100 V de nueva generación ha sido diseñado para minimizar la R DS(on) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para ...
Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...- Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 30 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...
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Potencia de RF GaN-SiC HEMT Transistor de potencia HEMT GaN-SiC de 300 W optimizado con la mejor potencia y eficiencia de onda continua (CW) para aplicaciones culinarias, industriales, científicas y médicas en frecuencias de 2400 MHz a 2500 MHz. El ...