Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2207
    Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 54 A VDS, 200 V RDS (activado), 22 mΩ ID, 14 A ID pulsado, 54 A
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2215
    Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 162 A VDS, 200 V RDS (activado), 8 mΩ ID, 32 A ID pulsado, 162 A
  3. MOSFET de canal N de 30 V
  4. Datasheet Toshiba XPN7R104NC
    MOSFET de potencia (N-ch single 30V VDSS≤60V)
  1. Datasheet Toshiba XPN6R706NC
    MOSFET de potencia (N-ch single 30V VDSS≤60V)
  2. Datasheet Toshiba XPN3R804NC
    MOSFET de potencia (N-ch single 30V VDSS≤60V)
  3. Datasheet Toshiba XPN12006NC
    MOSFET de potencia (N-ch single 30V VDSS≤60V)
  4. Datasheet Vishay SiRA99DP-T1-GE3
    MOSFET de canal P de 30 V (DS)
  5. MOSFET de canal P de 30 V (DS)
  6. Datasheet International Rectifier IRL540NPBF
    MOSFET, N, 100 V, 36 A, TO-220 Especificaciones: Identificación de corriente de drenaje continuo: 30 A Identificación de corriente máxima: 36 A Temperatura actual: 25 ° C Voltaje de la fuente de drenaje Vds: 100 V Temperatura de potencia máxima: 25 ...
  7. PowerTrench especificado de 1.8V para canal P MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
  8. PowerTrench especificado de 1.8V para canal P MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
  9. Datasheet Vishay SiZF300DT-T1-GE3
    MOSFET de doble canal N de 30 V (DS) con diodo Schottky
  10. MOSFET de doble canal N de 30 V (DS) con diodo Schottky
  11. Transistor LDMOS de potencia HF / VHF Un transistor de potencia LDMOS de 1200 W para aplicaciones de transmisión y aplicaciones industriales en la banda de HF a 700 MHz.
  12. Datasheet Ampleon BLF978PU
    Transistor LDMOS de potencia HF / VHF Un transistor de potencia LDMOS de 1200 W para aplicaciones de transmisión y aplicaciones industriales en la banda de HF a 700 MHz.
  13. Transistor LDMOS de potencia HF / VHF Un transistor de potencia LDMOS de 500 W para aplicaciones de transmisión y aplicaciones industriales en la banda de HF a 700 MHz.
  14. Datasheet Ampleon BLF974PU
    Transistor LDMOS de potencia HF / VHF Un transistor de potencia LDMOS de 500 W para aplicaciones de transmisión y aplicaciones industriales en la banda de HF a 700 MHz.
  15. MOSFET de modo de mejora de canal N sincrónico de 30V Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para ...
  16. MOSFET de modo de mejora de canal N sincrónico de 30V Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para ...