HEXFET Power MOSFET Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C ...
HEXFET Power MOSFET Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C ...
MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
HEMT de ruido súper bajo El FHX35LG es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) diseñado para amplificadores de uso general, bajo ruido y alta ganancia en el rango de frecuencia de 2-18 GHz. Este dispositivo está empaquetado en paquetes ...
MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños