Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. MOSFET de modo de mejora de canal N sincrónico de 30V Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para ...
  2. MOSFET de modo de mejora de canal N sincrónico de 30V Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para ...
  3. MOSFET de potencia HEXFET, V DSS = 55 V, R DS (encendido) = 16.5 mΩ, I D = 30 A, TO-220AB
  4. MOSFET de potencia HEXFET, V DSS = 55 V, RDS (encendido) = 0.035 Ω, I D = 30 A, TO-220AB
  1. MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Especificaciones: Intensidad Drenador Continua Id: 12 A Id. De corriente máx .: -12 A Temperatura actual: 25 ° C Drenaje Fuente Voltaje Vds: 55 V Temperatura de potencia máxima: 25 ° C Unión a la caja Resistencia térmica ...
  2. Datasheet International Rectifier IRF9Z24NPBF
    MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Especificaciones: Intensidad Drenador Continua Id: 12 A Id. De corriente máx .: -12 A Temperatura actual: 25 ° C Drenaje Fuente Voltaje Vds: 55 V Temperatura de potencia máxima: 25 ° C Unión a la caja Resistencia térmica ...
  3. MOSFET de carburo de silicio, modo de mejora
  4. Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete D2PAK Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una ...
  5. Canal N 600 V, 0.4 Ohm típ., 11 A MDmesh Power MOSFET en paquete TO-220 Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una ...
  6. Datasheet IXYS IXTP02N50D
    MOSFET de potencia de alto voltaje Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse. En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización ...
  7. Datasheet Littelfuse IXTP02N50D
    MOSFET de potencia de alto voltaje Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse. En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización ...
  8. Datasheet Littelfuse IXTU02N50D
    MOSFET de potencia de alto voltaje Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse. En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización ...
  9. Datasheet IXYS IXTU02N50D
    MOSFET de potencia de alto voltaje Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse. En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización ...
  10. Datasheet IXYS IXTY02N50D
    MOSFET de potencia de alto voltaje Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse. En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización ...
  11. Datasheet Littelfuse IXTY02N50D
    MOSFET de alto voltaje Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse. En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización de puerta ...
  12. Modo de agotamiento de canal N DMOS FET
  13. Modo de agotamiento de canal N DMOS FET
  14. El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral
  15. El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral
  16. El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral