Datasheets - FET, MOSFET simples

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1. IXFH26N50 — Datasheet Inchange Semiconductor
   FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor IXFH26N50
   

   Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247 Características Corriente de drenaje: ID = 26 A a TC = 25 ℃ Voltaje de la fuente de drenaje: VDSS = 500 V (mín.) Resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) = 0,2 Ω ...
2. IRFP460PBF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP460 IRFP460PBF
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247 Características Clasificación dinámica dV/dt Clasificación de avalancha repetitiva Orificio de montaje central aislado

3. IRF9610PBF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRF9610 IRF9610PBF
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-220 Clasificación dinámica dV/dt Canal P Cambio rápido
4. CPC3710CTR — Datasheet Littelfuse
   FET, MOSFET simples Littelfuse CPC3710 CPC3710CTR
   

   MOSFET DEPL DE CANAL N 250V 10 OHMS SOT-89 TR | Serie: MOSFETs de modo de agotamiento de canal N Nuestros transistores de efecto de campo (FET) de canal N en modo de agotamiento utilizan un proceso DMOS vertical de tercera generación patentado. ...
5. FDD86110 — Datasheet Inchange Semiconductor
   FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor FDD86110
   

   Transistor MOSFET de canal N en encapsulado DPAK/TO-252
6. MDF11N65BTH — Datasheet Magnachip
   FET, MOSFET simples Magnachip MDF11N65B MDF11N65BTH
   

   MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F
7. STW9NK9SZ — Datasheet STMicroelectronics
   FET, MOSFET simples STMicroelectronics STW9NK9SZ
   

   MOSFET de potencia SuperMESH de canal N, 900 V, 1,1 Ω, 8 A, encapsulados TO-220, TO-220FP, D2PAK y TO-247, con protección Zener.
8. IRFP22N60KPBF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
9. SQJA80EP-T1_BE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SQJA80EP SQJA80EP-T1_BE3
   

   MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
10. SI7489DP-T1-GE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay SI7489DP SI7489DP-T1-GE3
    

    MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.
11. FDMA430NZ — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDMA430NZ
    

    MOSFET PowerTrench de canal N único de 2,5 V especificado, 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Este MOSFET de canal N único ha sido diseñado utilizando un proceso Power Trench avanzado para optimizar el RDS(on) @ VGS = 2,5 V en un marco conductor MicroFET especial.
12. PMV65XP — Datasheet Nexperia
    FET, MOSFET simples Nexperia PMV65XP
    MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
13. PMV65XP — Datasheet NXP
    FET, MOSFET simples NXP PMV65XP
    

    MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
14. PMV65UNEAR — Datasheet Nexperia
    FET, MOSFET simples Nexperia PMV65UNEA PMV65UNEAR
    

    MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
15. PMV65ENEAR — Datasheet Nexperia
    FET, MOSFET simples Nexperia PMV65ENEA PMV65ENEAR
    

    MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
16. PMV65XPER — Datasheet Nexperia
    FET, MOSFET simples Nexperia PMV65XPE PMV65XPER
    

    MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
17. PMV65XPEAR — Datasheet Nexperia
    FET, MOSFET simples Nexperia PMV65XPEA PMV65XPEAR
    

    MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
18. RJU003N03FRAT106 — Datasheet Rohm
    FET, MOSFET simples Rohm RJU003N03FRA RJU003N03FRAT106
    

    MOSFET Nch de 2,5 V (calificado por AEC-Q101) en encapsulado SOT-323 Los MOSFET se fabrican con una resistencia a ON ultrabaja mediante las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles de bajo consumo de corriente. En una amplia ...
19. RJU003N03 — Datasheet Rohm
    FET, MOSFET simples Rohm RJU003N03
    MOSFET de canal N con accionamiento de 2,5 V
20. DMTH4008LFDFWQ-13 — Datasheet Diodes
    FET, MOSFET simples Diodes DMTH4008LFDFWQ DMTH4008LFDFWQ-13
    MOSFET de modo de mejora de canal N de 40 V +175 °C Este MOSFET está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices. Cumple con la certificación AEC-Q101, está respaldado por un PPAP y es ideal para funciones de ...