Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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MOSFET de pequeña señal de canal N de 30 V en encapsulado SOT-23
P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package
- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
N-Channel Power MOSFET 500V, 5.5A, 2Ω in ATPAK package Obsoleto
MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia de encendido y rentabilidad. El ...
MOSFET de canal N de 40 V en encapsulado TO252 El AOD240 utiliza tecnología MOSFET Trench, optimizada especialmente para ofrecer el rendimiento de conmutación de alta frecuencia más eficiente. Las pérdidas de potencia se minimizan gracias a una ...
MOSFET de canal P de 30 V (DS) en encapsulado SOP8 Tiene alta capacidad de transporte de corriente y baja resistencia de encendido, y es particularmente adecuado para conmutación de potencia y control de circuitos.- MOSFET de canal P de alto rendimiento en encapsulado SOP8 Este MOSFET tiene una tensión no disruptiva drenador-fuente de -30 V y una capacidad de manejo de corriente drenadora de hasta -9 A. Su baja resistencia de encendido y su buena capacidad de ...
Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220
- Transistores de modo de mejora de canal N en encapsulado DIP de 4 pines (similar al TO-250)
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- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247 Características Corriente de drenaje: ID = 26 A a TC = 25 ℃ Voltaje de la fuente de drenaje: VDSS = 500 V (mín.) Resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) = 0,2 Ω ...
- MOSFET de potencia en encapsulado TO-247 Características Clasificación dinámica dV/dt Clasificación de avalancha repetitiva Orificio de montaje central aislado
- MOSFET de potencia en encapsulado TO-220 Clasificación dinámica dV/dt Canal P Cambio rápido
MOSFET DEPL DE CANAL N 250V 10 OHMS SOT-89 TR | Serie: MOSFETs de modo de agotamiento de canal N Nuestros transistores de efecto de campo (FET) de canal N en modo de agotamiento utilizan un proceso DMOS vertical de tercera generación patentado. ...- Transistor MOSFET de canal N en encapsulado DPAK/TO-252
MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F