Datasheets - FET, MOSFET simples

Subsección: "FET, MOSFET simples"
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  1. Datasheet JX Semiconductor ASC40N1700MT3
    MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1700 V, 40 A, 72 mΩ, encapsulado TO-247-3L. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
  2. Datasheet JX Semiconductor JX4S0040R120M
    MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1200 V, 60 A, 45 mΩ, encapsulado TO-247-3. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3 garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
  1. Datasheet JX Semiconductor JX3S0750170M
    MOSFET de canal N de SiC de 1700 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
  2. Datasheet JX Semiconductor JX3S0070R170M
    MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1700 V, 40 A, 72 mΩ, encapsulado TO-247-3L. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
  3. Datasheet JX Semiconductor JX4S0150R330M
    MOSFET de canal N de SiC de 3300 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
  4. Datasheet JX Semiconductor JX4S0040R065M
    MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-4 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
  5. Datasheet JX Semiconductor JX3S0040065M
    MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
  6. Datasheet JX Semiconductor JX0320R065MT3
    MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
  7. Datasheet Ampleon CLF09H4LS800PU
    Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz. ...
  8. Datasheet JX Semiconductor JX3S0040090M
    MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
  9. MOSFET de potencia en encapsulado TO-247
  10. Datasheet Vishay IRFP450N
    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247
  11. MOSFET de potencia
  12. MOSFET de potencia
  13. MOSFET de potencia
  14. MOSFET de potencia
  15. Datasheet Vishay Si7850DP-T1-E3
    MOSFET de conmutación rápida de canal N de 60 V (DS) en encapsulado PowerPAK SO-8
  16. MOSFET de potencia de canal P
  17. MOSFET de potencia de canal N
  18. Datasheet Nexperia PMV30UN,215
    Transistor FET TrenchMOS de canal N de nivel ultrabajo en encapsulado SOT23 Transistor de efecto de campo (FET) de canal N de nivel ultrabajo y modo de enriquecimiento en encapsulado plástico, que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está ...