Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  1. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  1. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  2. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  3. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  4. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  5. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  6. MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de ...
  7. MOSFET de potencia HEXFET Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida ...
  8. 1,0 A, 20 V, rectificador de potencia Schottky, montaje en superficie Schottky Powermite emplea el principio de barrera de Schottky con una barrera de metal y una construcción epitaxial que produce un equilibrio óptimo entre caída de tensión ...
  9. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  10. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  11. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  12. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  13. MOSFET de potencia TrenchP Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de lado alto en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales ...
  14. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
  15. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
  16. MOSFET de canal N de 30 V (DS)