Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  1. Datasheet Vishay IRFP22N60KPBF
    MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
  2. MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
  1. MOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  2. MOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ...
  3. Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
  4. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  5. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  6. MOSFET de canal N
  7. MOSFET de canal N
  8. MOSFET de canal N
  9. MOSFET de canal N
  10. MOSFET de canal N
  11. Transistor de efecto de campo
  12. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  13. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  14. Modo de mejora de canal N MOSTET
  15. Transistor MOSFET de canal N
  16. Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
  17. MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
  18. MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...