Datasheets - FET, MOSFET simples

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1. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
   FET, MOSFET simples JX Semiconductor JX3S0040090M
   

   MOSFET de SiC de canal N de 900 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
2. SiHFP450N — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFP450N
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247

3. IRFP450N — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFP450N
   

   MOSFET de potencia en encapsulado TO-247
4. SiHFU120-GE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFU12 SiHFU120-GE3
   MOSFET de potencia
5. SiHFR120TRL-GE3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay SiHFR120 SiHFR120TRL-GE3
   MOSFET de potencia
6. IRFU120PbF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFU120 IRFU120PbF
   MOSFET de potencia
7. IRFR120TRRPbF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFR120 IRFR120TRRPbF
   MOSFET de potencia
8. Si7850DP-T1-E3 — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay Si7850DP Si7850DP-T1-E3
   

   MOSFET de conmutación rápida de canal N de 60 V (DS) en encapsulado PowerPAK SO-8
9. IRFD9020PbF — Datasheet Vishay
   FET, MOSFET simples Vishay IRFD9020 IRFD9020PbF
   MOSFET de potencia de canal P
10. IRFD024PbF — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay IRFD024 IRFD024PbF
    MOSFET de potencia de canal N
11. PMV30UN,215 — Datasheet Nexperia
    FET, MOSFET simples Nexperia PMV30UN PMV30UN,215
    

    Transistor FET TrenchMOS de canal N de nivel ultrabajo en encapsulado SOT23 Transistor de efecto de campo (FET) de canal N de nivel ultrabajo y modo de enriquecimiento en encapsulado plástico, que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está ...
12. IRFL024NPBF — Datasheet Infineon
    FET, MOSFET simples Infineon IRFL024NPBF
    

    MOSFET IR de canal N único de 55 V en encapsulado SOT-223
13. IRFL024N — Datasheet Infineon
    FET, MOSFET simples Infineon IRFL024N
    

    MOSFET IR de canal N único de 55 V en encapsulado SOT-223
14. Si2333DS-T1-GE3 — Datasheet Vishay
    FET, MOSFET simples Vishay Si2333DS Si2333DS-T1-GE3
    

    MOSFET de canal P de 12 V (DS) en encapsulado SOT-23 (TO-236)
15. SI2310A — Datasheet Youtai
    FET, MOSFET simples Youtai SI2310A
    

    MOSFET de canal N de 60 V en encapsulado SOT-23
16. 2SK2350 — Datasheet Inchange Semiconductor
    FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor 2SK2350
    

    Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220F
17. ZVNL110A — Datasheet Diodes
    FET, MOSFET simples Diodes ZVNL110A
    Transistor DMOS vertical de canal N con modo de enriquecimiento en encapsulado E-Line
18. ZXM61P03FTA — Datasheet Diodes
    FET, MOSFET simples Diodes ZXM61P03F ZXM61P03FTA
    

    MOSFET de modo de enriquecimiento de canal P de 30 V en encapsulado SOT23
19. FDN360P — Datasheet ON Semiconductor
    FET, MOSFET simples ON Semiconductor FDN360P
    

    MOSFET de canal P único de PowerTrench en encapsulado SOT-23 Este MOSFET de nivel lógico de canal P se fabrica mediante un proceso Power Trench avanzado, especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y, al mismo tiempo, ...
20. IIRFP260N — Datasheet Inchange Semiconductor
    FET, MOSFET simples Inchange Semiconductor IIRFP260N
    

    Transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-247