Datasheets - Transistores MOSFET Simple
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...- MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...
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- Matriz Mosfet de par emparejado de cuatro canales P Los ALD1107/ALD1117 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal P cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de precisión. ...
- Matriz Mosfet de par combinado de canal N cuádruple/doble Los ALD1106/ALD1116 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal N cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de ...
- Matriz Mosfet de par combinado de canal N cuádruple/doble Los ALD1106/ALD1116 son conjuntos de transistores MOSFET monolíticos de canal N cuádruple/doble con modo de mejora adaptados destinados a una amplia gama de aplicaciones analógicas de ...
MOSFET de potencia- MOSFET de potencia
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- Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
- Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
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