Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C- MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
- MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.- MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.
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MOSFET PowerTrench de canal N único de 2,5 V especificado, 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Este MOSFET de canal N único ha sido diseñado utilizando un proceso Power Trench avanzado para optimizar el RDS(on) @ VGS = 2,5 V en un marco conductor MicroFET especial.
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal N de 40 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal N en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de canal N con accionamiento de 2,5 V