Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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MOSFET DEPL DE CANAL N 250V 10 OHMS SOT-89 TR | Serie: MOSFETs de modo de agotamiento de canal N Nuestros transistores de efecto de campo (FET) de canal N en modo de agotamiento utilizan un proceso DMOS vertical de tercera generación patentado. ...- MOSFET DEPL DE CANAL N 250V 10 OHMS SOT-89 TR | Serie: MOSFETs de modo de agotamiento de canal N Nuestros transistores de efecto de campo (FET) de canal N en modo de agotamiento utilizan un proceso DMOS vertical de tercera generación patentado. ...
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Transistor MOSFET de canal N en encapsulado DPAK/TO-252
MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F- MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F
- MOSFET de canal N de 650 V, 12 A, 0,65 Ω en encapsulado TO-220F
MOSFET de potencia SuperMESH de canal N, 900 V, 1,1 Ω, 8 A, encapsulados TO-220, TO-220FP, D2PAK y TO-247, con protección Zener.
MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...- MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C- MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
- MOSFET automotriz de canal N de 80 V (DS) y 175 °C
MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.- MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.
- MOSFET de canal P de 100 V (DS) MOSFET de potencia TrenchFET, libre de halógenos según IEC 61249-2-21.
MOSFET PowerTrench de canal N único de 2,5 V especificado, 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Este MOSFET de canal N único ha sido diseñado utilizando un proceso Power Trench avanzado para optimizar el RDS(on) @ VGS = 2,5 V en un marco conductor MicroFET especial.
MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- MOSFET de trinchera de canal P único de 20 V Transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB) que utiliza tecnología Trench MOSFET.