Datasheets - FET, MOSFET simples
Subsección: "FET, MOSFET simples"
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MOSFET de SiC de canal N de 1200 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...- MOSFET de canal N de 1200 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
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- MOSFET de carburo de silicio de 1200 V y 40 ohmios en encapsulado TO-247-3L El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y críticos ...
- MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1200 V, 100 A, 16 ohmios, en encapsulado TO-247-3L El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de ...
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- MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1700 V, 40 A, 72 mΩ, encapsulado TO-247-3L. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
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- MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1700 V, 40 A, 72 mΩ, encapsulado TO-247-3L. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3L garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
- MOSFET de carburo de silicio de canal N, 1200 V, 60 A, 45 mΩ, encapsulado TO-247-3. El MOSFET de SiC de la serie JX-MT3 en encapsulado TO-247-3 garantiza un funcionamiento estable a altas temperaturas para sistemas de alta densidad de potencia y ...
- MOSFET de canal N de SiC de 1700 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
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- MOSFET de canal N de SiC de 3300 V en encapsulado TO-247 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-4 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...- MOSFET de canal N de 650 V en encapsulado TO247-3 Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. ...
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Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz. ...- Transistor HEMT de GaN de 800 W con ajuste interno preajustado en encapsulado SOT-1214B El CLF09H4LS800P es un transistor de potencia RF GaN HEMT de 800 W con adaptación interna preestablecida, utilizable en frecuencias de 902 MHz a 928 MHz. ...