Datasheet Texas Instruments CSD17308Q3 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD17308Q3
Numero de parteCSD17308Q3
Datasheet Texas Instruments CSD17308Q3

MOSFET de potencia de canal N NexFET ™ de 30 V 8-VSON-CLIP -55 a 150

Hojas de datos

CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 406 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: oct 29, 2015
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD17308
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC47 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)78 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ3.9 nC
QGD Typ0.8 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V9.4 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V11.8 mOhms
VDS30 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.3 V

Plan ecológico

RoHSObediente
Pb gratis

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: BQ500211AEVM-210
    bq500211A Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Obsoleto (El fabricante ha interrumpido la producción del dispositivo)

Notas de aplicación

  • A solar-powered buck/boost battery charger
    PDF, 334 Kb, Archivo publicado: abr 26, 2012
  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Linea modelo

Serie: CSD17308Q3 (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor